Sony улучшила плотность и надёжность фирменной памяти ReRAM - «Новости сети»

1. Как мы сообщали, с 2013 года компания Sony совместно с компанией Micron разрабатывает фирменную память типа ReRAM (резистивная память со случайным доступом). Предложенная партнёрами конструкция ячейки ReRAM выглядит как одна из самых прогрессивных в индустрии, а память ReRAM сегодня не разрабатывает только ленивый.







Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»





2. Согласно обнародованной информации, образцы 27-нм 16-Гбит чипов ReRAM Sony/Micron в режиме чтения работали со скоростью до 900 Мбайт/с, а в режиме записи — до 180 Мбайт/с (речь идёт только об одной микросхеме, а не о банке памяти!). Задержки чтения не превышали 2 мкс, а задержки записи — не более 10 мкс. Но самое важное, что площадь ячейки ReRAM Sony была равна относительному значению 6F². Меньше площадь только у ячейки памяти DRAM, значение которой равно 4F². Это означает, что память ReRAM может быть такой же плотной, как оперативная память для ПК. До сих пор с плотностью записи у новейших видов энергонезависимой памяти было всё очень плохо. Поэтому на разработку Sony возложены определённые надежды.







Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»





3. На недавнем симпозиуме VLSI Technology 2017 компания Sony сообщила, что она улучшила ячейку ReRAM, значительно уменьшив площадь решения. Новая разработка позволяет создавать ячейку резистивной памяти такой же площади — 4F², как и ячейка DRAM. Определённо — это рекорд. С такой площадью в стековой компоновке из двух рабочих слоёв с размещением 2000 × 2000 элементов в каждом слое и с использованием 20-нм техпроцесса можно выпускать чипы ReRAM ёмкостью 100 Гбит.







Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»





4. Уменьшить площадь ячейки ReRAM удалось за счёт некоторой модернизации её структуры. Так, в составе ячейки появился разделитель, отсекающий «резервуар для ионов» от электролита «источника ионов». Барьер позволяет устранить неравномерность сопротивления, создающегося в рабочем слое (предотвращает взаимную миграцию ионов меди из рабочего слоя в слой-источник). Поскольку опасность неравномерности устранена, рабочие размеры (площадь) ячейки можно уменьшить без риска потерять данные или усложнить процесс их восстановления.







Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»





5. Другим нововведением в технологию производства ReRAM Sony стало дополнительное легирование переключающего элемента (переключателя Овшинского на основе халькогенидных плёнок) бором и углеродом. Это дало возможность снизить напряжение переключения управляющего ячейкой памяти элемента и, соответственно, уменьшить токи утечек. Устойчивость к износу такой памяти ReRAM разработчики оценивают на фантастическом для NAND уровне — порядка 10 млн циклов стирания. О сроках перехода к массовому производству разработки, увы, не сообщается. Есть мнение, что раньше 2020 года память ReRAM в виде отдельной памяти на рынке не появится.