|
Буквально месяц назад стало известно, что компания STMicroelectronics отказалась от внедрения техпроцессов с нормами 22 нм на пластинах FD-SOI (кремний на изоляторе с полностью обеднённым слоем). Чипы с нормами 28-нм на пластинах FD-SOI она выпускала либо самостоятельно, либо частично размещала на линиях Samsung. Внедрять новые техпроцессы в компании посчитали нецелесообразным, хотя пока не ясно, откажется STMicroelectronics от гонки за новыми техпроцессами или нет. На повестке дня стоит переход на EUV-литографию, что значительно повышает ценовой порог перехода на следующий уровень.
Переход STMicroelectronics в статус клиента GlobalFoundries сделал хорошую рекламу техпроцессу 22FDX (планарный, 22 нм, пластины DF-SOI). Начало производства чипов с использованием техпроцесса 22FDX сначала стартует на заводе GlobalFoundries в Дрездене. Произойдёт это ближе к середине года. Кроме европейцев техпроцессом 22FDX заинтересовались китайские компании. Ранее GlobalFoundries заявляла, что три таких крупных китайских разработчика, как Shanghai Fudan Microelectronics Group, Rockchip и Hunan Goke Microelectronics, изъявили желание выпускать чипы с использованием техпроцесса 22FDX. Движение STMicroelectronics в сторону GlobalFoundries, как на днях заявили в руководстве чипмейкера, вызвало значительный рост заявок на техпроцесс 22FDX со стороны целого ряда других китайских компаний.
Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»
Напомним, техпроцесс 22FDX будет также доступен в Китае. Для этого GlobalFoundries в прошлом году начала строить завод вблизи города Чэнду (Chengdu). Предприятие под именем Fab 11 начнёт получать оборудование в ближайшие недели и обещает начать работу в октябре 2018 года. Правда, на первых порах завод Fab 11 будет выпускать 130-нм продукцию, возможно, на SOI-подложках. Скорее всего, туда переедет бывшее в употреблении оборудование с сингапурских заводов GlobalFoundries. Производство с использованием техпроцесса 22FDX в Китае компания планирует начать в 2019 году.
Как сообщают в GlobalFoundries, чипы с использованием 22FDX смогут работать с напряжением 0,4 В в режимах сверхмалого потребления. По сравнению с 28-нм техпроцессом площадь 22-нм кристаллов будет на 20 % меньше и потребует на 10 % меньше фотошаблонов для литографической проекции. Если сравнивать планарный техпроцесс с техпроцессом FinFET, то сокращение числа фотошаблонов для иммерсионной литографии составит 50 %. Всё это означает удешевление производства с сохранением ряда преимуществ техпроцесса с транзисторами FinFET.
Перейти обратно к новости
|
