|
Менее года понадобилось компании SK Hynix, чтобы перейти от этапа завершения разработки памяти HBM2E к началу её массового производства. Но главное даже не эта поразительная оперативность, а уникальные скоростные характеристики новых чипов HBM2E. Пропускная способность микросхем HBM2E SK Hynix достигает 460 Гбайт/с на каждую микросхему, что на 50 Гбайт/с превышает прежние показатели.
Значительный рывок производительности памяти типа HBM должен произойти при переходе на память третьего поколения или HBM3. Тогда скорость обмена поднимется до 820 Гбайт/с. Пока же пробел будут заполнять чипы компании SK Hynix, скорость обмена по каждому выводу которых составляет 3,6 Гбит/с. Каждая такая микросхема собирается из восьми кристаллов (слоёв). Если учесть, что в каждом слое расположен 16-Гбит кристалл, то общая ёмкость новых микросхем составляет 16 Гбайт.
Память с подобным сочетанием характеристик начинает быть востребованной и актуальной для создания решений в сфере машинного обучения и искусственного интеллекта. Она выросла из сферы игровых видеокарт, где в своё время получила старт благодаря видеокартам компании AMD. Сегодня главное назначение памяти HBM - это высокопроизводительные вычисления и ИИ.
«SK Hynix находится в авангарде технологических инноваций, которые способствуют человеческой цивилизации благодаря достижениям, в том числе первой в мире разработке продуктов HBM», - сказал Чонхун О (Jonghoon Oh), исполнительный вице-президент и директор по маркетингу (CMO) в SK Hynix. «Благодаря полномасштабному серийному производству HBM2E мы продолжим укреплять свое присутствие на рынке памяти премиум-класса и возглавим четвертую промышленную революцию».
:
Перейти обратно к новости
|
