IMEC разработает техпроцесс для производства ReRAM компании 4DS - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Видео уроки
Наш опрос



Наши новости

       
2-12-2017, 20:00
IMEC разработает техпроцесс для производства ReRAM компании 4DS - «Новости сети»
Рейтинг:


Среди новых и перспективных видов энергонезависимой памяти особняком стоит резистивная память с произвольным доступом или ReRAM. Предложено множество вариантов реализации ячейки ReRAM, в простейшем случае рабочий слой которой должен изменять сопротивление линейным образом в широких пределах. Условно память ReRAM можно разбить на два вида. В одном случае сопротивление ячейки меняется за счёт образования в рабочем слое токопроводящих «нитей» из ионов металлов, а во втором случае сопротивление ячейки изменяется во всём рабочем слое. Австралийская компания 4DS Memory Limited как раз предлагает второй способ. По словам разработчиков из 4DS Memory, полное переключение рабочего слоя — Interface Switching ReRAM — позволит радикально упростить контроллеры памяти за счёт уменьшения числа ошибок чтения.



Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»




Фактически 4DS Memory говорит о памяти без коррекции ошибок как в случае обычной оперативной DRAM без ECC. Память типа ReRAM, MRAM и другие новые варианты энергонезависимой памяти должны занять промежуточное положение между NAND и DRAM — это так называемая память storage class memory (SCM). Проще говоря, оперативная память с возможностью хранить данные без потери после отключения питания. Сложный контроллер с коррекцией ошибок чтения только ухудшит параметры памяти SCM, которая по скорости работы должна стремиться к характеристикам DRAM.
IMEC разработает техпроцесс для производства ReRAM компании 4DS - «Новости сети»


Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»





Ранее в этом году специалисты компании 4DS Memory разработали и изготовили 40-нм ячейку фирменной памяти ReRAM. Но одно дело опытное производство в условиях лаборатории, и совсем другое массовое производство. Помочь компании создать коммерческий техпроцесс выпуска ReRAM взялся бельгийский исследовательский центр IMEC. По словам представителей центра, они планируют представить 40-нм техпроцесс выпуска ReRAM на 300-мм кремниевых подложках. Что важно, для выпуска ReRAM 4DS Memory планируется использовать обычные материалы и актуальное оборудование. Сегодня в опытах с новыми типами энергонезависимой памяти используется свыше половины элементов из таблицы Менделеева. Это всё интересно, но дорого при вводе в коммерческую эксплуатацию. В разработках важен «здоровый консерватизм», как выразились в IMEC. Что же, посмотрим, как это будет реализовано на практике.

Среди новых и перспективных видов энергонезависимой памяти особняком стоит резистивная память с произвольным доступом или ReRAM. Предложено множество вариантов реализации ячейки ReRAM, в простейшем случае рабочий слой которой должен изменять сопротивление линейным образом в широких пределах. Условно память ReRAM можно разбить на два вида. В одном случае сопротивление ячейки меняется за счёт образования в рабочем слое токопроводящих «нитей» из ионов металлов, а во втором случае сопротивление ячейки изменяется во всём рабочем слое. Австралийская компания 4DS Memory Limited как раз предлагает второй способ. По словам разработчиков из 4DS Memory, полное переключение рабочего слоя — Interface Switching ReRAM — позволит радикально упростить контроллеры памяти за счёт уменьшения числа ошибок чтения. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Фактически 4DS Memory говорит о памяти без коррекции ошибок как в случае обычной оперативной DRAM без ECC. Память типа ReRAM, MRAM и другие новые варианты энергонезависимой памяти должны занять промежуточное положение между NAND и DRAM — это так называемая память storage class memory (SCM). Проще говоря, оперативная память с возможностью хранить данные без потери после отключения питания. Сложный контроллер с коррекцией ошибок чтения только ухудшит параметры памяти SCM, которая по скорости работы должна стремиться к характеристикам DRAM. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Ранее в этом году специалисты компании 4DS Memory разработали и изготовили 40-нм ячейку фирменной памяти ReRAM. Но одно дело опытное производство в условиях лаборатории, и совсем другое массовое производство. Помочь компании создать коммерческий техпроцесс выпуска ReRAM взялся бельгийский исследовательский центр IMEC. По словам представителей центра, они планируют представить 40-нм техпроцесс выпуска ReRAM на 300-мм кремниевых подложках. Что важно, для выпуска ReRAM 4DS Memory планируется использовать обычные материалы и актуальное оборудование. Сегодня в опытах с новыми типами энергонезависимой памяти используется свыше половины элементов из таблицы Менделеева. Это всё интересно, но дорого при вводе в коммерческую эксплуатацию. В разработках важен «здоровый консерватизм», как выразились в IMEC. Что же, посмотрим, как это будет реализовано на практике.

Теги: Новости сети, памяти ReRAM Memory случае ошибок

Просмотров: 878
Комментариев: 0:   2-12-2017, 20:00
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме:
Комментарии для сайта Cackle