•
Если человек ощущает свое участие в жизни общества, он создает не только материальные ценности для людей - он создает и самого себя. Из работы, в которой ярко выражен дух гражданственности, начинается истинное самовоспитание.
Афоризмы
•
Поистине, подобно солнцу, люблю я жизнь и все глубокие моря. И вот что называю я познанием: чтобы все глубокое поднялось на высоту мою!
Афоризмы
•
- «Оставайтесь голодными. Оставайтесь безрассудными». И я всегда желал себе этого. И теперь, когда вы заканчиваете институт и начинаете заново, я желаю этого вам.
Афоризмы
•
Воспитание личности - это воспитание такого стойкого морального начала, благодаря которому человек сам становится источником благотворного влияния на других, сам воспитывается и в процессе самовоспитания еще более утверждает в себе собственное моральное начало.
Со второго по шестое декабря в Сан-Франциско прошла конференция IEDM 2017 (IEEE International Electron Devices Meeting). Среди прочих докладов интересно отметить выступление представителей тайваньской компании Macronix. В своё время Macronix плотно сотрудничала с немецким производителем памяти компанией Qimonda. Вместе они разрабатывали технологии производства флеш-памяти. Задел оказался хорошим. Сейчас, когда имя Qimonda забыто, а компания давно прекратила своё существование, Macronix продолжает самостоятельно разрабатывать теперь уже многослойную флеш-память 3D NAND. Оказалось, что она даже способна удивить.
Сообщается, что Macronix на IEDM 2017 представила 3D NAND с новой высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Все остальные компании выпускают 3D NAND с затворами, которые окружают вертикальный канал со всех сторон — с круговым охватом или gate-all-around (GAA). За счёт использования меньшего по объёму затвора вертикальные каналы в 3D NAND Macronix удалось расположить ближе друг к другу — плотнее. Можно рассчитывать, что себестоимость хранения данных в 3D NAND Macronix будет меньше, чем в случае 3D NAND других производителей.
Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»
К сожалению, компания не сообщает о площади опытного кристалла 3D NAND с SGVC-ячейками. Без этого параметра нельзя однозначно утверждать, что память Macronix плотнее той же V-NAND Samsung, хотя поверхностное сравнение говорит о преимуществе разработки тайваньской компании. Судите сами: 128-Гбит память Macronix выполнена в виде 16 слоёв с MLC-ячейкой (два бита в ячейке), а рекорд Samsung — это 512-Гбит 3D NAND TLC, которая состоит из 64 слоёв. Каждый слой памяти Macronix содержит 8 Гбайт данных в двухбитовых ячейках, а каждый слой памяти Samsung хранит те же 8 Гбайт данных, но в трёхбитовых ячейках. Выглядит интересно. Хотелось бы увидеть это в коммерческих продуктах.
Со второго по шестое декабря в Сан-Франциско прошла конференция IEDM 2017 (IEEE International Electron Devices Meeting). Среди прочих докладов интересно отметить выступление представителей тайваньской компании Macronix. В своё время Macronix плотно сотрудничала с немецким производителем памяти компанией Qimonda. Вместе они разрабатывали технологии производства флеш-памяти. Задел оказался хорошим. Сейчас, когда имя Qimonda забыто, а компания давно прекратила своё существование, Macronix продолжает самостоятельно разрабатывать теперь уже многослойную флеш-память 3D NAND. Оказалось, что она даже способна удивить. Сообщается, что Macronix на IEDM 2017 представила 3D NAND с новой высокоплотной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Все остальные компании выпускают 3D NAND с затворами, которые окружают вертикальный канал со всех сторон — с круговым охватом или gate-all-around (GAA). За счёт использования меньшего по объёму затвора вертикальные каналы в 3D NAND Macronix удалось расположить ближе друг к другу — плотнее. Можно рассчитывать, что себестоимость хранения данных в 3D NAND Macronix будет меньше, чем в случае 3D NAND других производителей. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» К сожалению, компания не сообщает о площади опытного кристалла 3D NAND с SGVC-ячейками. Без этого параметра нельзя однозначно утверждать, что память Macronix плотнее той же V-NAND Samsung, хотя поверхностное сравнение говорит о преимуществе разработки тайваньской компании. Судите сами: 128-Гбит память Macronix выполнена в виде 16 слоёв с MLC-ячейкой (два бита в ячейке), а рекорд Samsung — это 512-Гбит 3D NAND TLC, которая состоит из 64 слоёв. Каждый слой памяти Macronix содержит 8 Гбайт данных в двухбитовых ячейках, а каждый слой памяти Samsung хранит те же 8 Гбайт данных, но в трёхбитовых ячейках. Выглядит интересно. Хотелось бы увидеть это в коммерческих продуктах.