Samsung начинает массовое производство 16-Гбит GDDR6 - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Видео уроки
Наш опрос



Наши новости

       
18-01-2018, 11:00
Samsung начинает массовое производство 16-Гбит GDDR6 - «Новости сети»
Рейтинг:


Компания Samsung Electronics сообщила, что она приступила к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. Память GDDR6 обещает оказаться востребованной для выпуска игровых устройств, графических адаптеров, автомобильной электроники, сетевого оборудования и систем с искусственным интеллектом. Компания уверена в «своевременном» выпуске нового типа памяти, которая будет широко востребована индустрией и усилит позиции Samsung в среде производителей всех типов микросхем DRAM.


Для производства чипов GDDR6 компания Samsung использует техпроцесс с нормами класса 10 нм. Судя по косвенным признакам, о которых мы скажем ниже, это может быть техпроцесс с нормами 18 нм, который относится к первому поколению техпроцессов Samsung 10-нм класса. В то же время компания начала выпуск микросхем памяти с использованием второго поколения техпроцесса 10-нм класса. По словам Samsung, продуктивность производства чипов GDDR6 с нормами класса 10 нм выросла на 30 % по сравнению с объёмами производства 8-Гбит чипов GDDR5, выпускаемых с нормами класса 20 нм. Если бы чипы GDDR6 выпускались с использованием техпроцесса второго 10-нм поколения, то выход продукции оказался бы значительно больше.


Также интересно отметить, что память GDDR6, которая пошла в серию, обладает большей пропускной способностью, чем образцы, показанные на CES 2018 и заслужившие награду выставки. Так, на CES 2018 Samsung показала 16-Гбит GDDR6 с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт, а в серию пошла память с ПСП 18 Гбит/с на контакт. Общая пропускная способность 16-Гбит чипа GDDR6, тем самым, достигает 72 Гбайт/с. Это более чем в два раза быстрее, если сравнивать новинку с 8-Гбит GDDR5 со скоростью 8 Гбит/с на контакт.



Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»




Наконец, память GDDR6 работает при напряжении питания 1,35 В, что на 35 % меньше напряжения питания памяти GDDR5 (1,55 В). Память с низким питанием будет меньше потреблять и, что важно для игровых адаптеров, будет потенциально лучше разгоняться с учётом повышения питания при разгоне.

Компания Samsung Electronics сообщила, что она приступила к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. Память GDDR6 обещает оказаться востребованной для выпуска игровых устройств, графических адаптеров, автомобильной электроники, сетевого оборудования и систем с искусственным интеллектом. Компания уверена в «своевременном» выпуске нового типа памяти, которая будет широко востребована индустрией и усилит позиции Samsung в среде производителей всех типов микросхем DRAM. Для производства чипов GDDR6 компания Samsung использует техпроцесс с нормами класса 10 нм. Судя по косвенным признакам, о которых мы скажем ниже, это может быть техпроцесс с нормами 18 нм, который относится к первому поколению техпроцессов Samsung 10-нм класса. В то же время компания начала выпуск микросхем памяти с использованием второго поколения техпроцесса 10-нм класса. По словам Samsung, продуктивность производства чипов GDDR6 с нормами класса 10 нм выросла на 30 % по сравнению с объёмами производства 8-Гбит чипов GDDR5, выпускаемых с нормами класса 20 нм. Если бы чипы GDDR6 выпускались с использованием техпроцесса второго 10-нм поколения, то выход продукции оказался бы значительно больше. Также интересно отметить, что память GDDR6, которая пошла в серию, обладает большей пропускной способностью, чем образцы, показанные на CES 2018 и заслужившие награду выставки. Так, на CES 2018 Samsung показала 16-Гбит GDDR6 с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт, а в серию пошла память с ПСП 18 Гбит/с на контакт. Общая пропускная способность 16-Гбит чипа GDDR6, тем самым, достигает 72 Гбайт/с. Это более чем в два раза быстрее, если сравнивать новинку с 8-Гбит GDDR5 со скоростью 8 Гбит/с на контакт. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Наконец, память GDDR6 работает при напряжении питания 1,35 В, что на 35 % меньше напряжения питания памяти GDDR5 (1,55 В). Память с низким питанием будет меньше потреблять и, что важно для игровых адаптеров, будет потенциально лучше разгоняться с учётом повышения питания при разгоне.

Теги: Новости сети, GDDR6 Samsung нормами 16-Гбит класса

Просмотров: 826
Комментариев: 0:   18-01-2018, 11:00
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме:
Комментарии для сайта Cackle