•
Если человек ощущает свое участие в жизни общества, он создает не только материальные ценности для людей - он создает и самого себя. Из работы, в которой ярко выражен дух гражданственности, начинается истинное самовоспитание.
Афоризмы
•
Поистине, подобно солнцу, люблю я жизнь и все глубокие моря. И вот что называю я познанием: чтобы все глубокое поднялось на высоту мою!
Афоризмы
•
- «Оставайтесь голодными. Оставайтесь безрассудными». И я всегда желал себе этого. И теперь, когда вы заканчиваете институт и начинаете заново, я желаю этого вам.
Афоризмы
•
Воспитание личности - это воспитание такого стойкого морального начала, благодаря которому человек сам становится источником благотворного влияния на других, сам воспитывается и в процессе самовоспитания еще более утверждает в себе собственное моральное начало.
Слухи о намерениях TSMC отложить начало опытного производства 3-нм продуктов на несколько месяцев регулярно возникали с начала года, но на квартальной конференции представители компании заверили, что всё идёт по графику, и серийные изделия данного поколения увидят свет во второй половине 2022 года.
Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»
Вообще, представители TSMC признали, что сроки поставки технологического оборудования в условиях пандемии действительно увеличились, но всего лишь с двух недель до одного месяца, и по итогам года компания не ожидает существенного влияния данного фактора на подготовку к освоению новых техпроцессов. Не собирается компания сокращать и капитальные затраты ($15–16 млрд), основную часть которых будет направлять на освоение прогрессивных литографических технологий и расширение производственных мощностей. В долгосрочном прогнозе спрос на полупроводниковые изделия продолжит расти, а не сокращаться.
Освоение 3-нм технологии идёт в полном соответствии с графиком. Опытное производство будет запущено в 2021 году, а серийное будет развёрнуто во второй половине 2022 года. При планировании перехода на нормы 3 нм компания изучила различные технологические альтернативы, и остановила свой выбор на хорошо знакомых FinFET-структурах, которые используются для создания кремниевых транзисторов очень давно.
Переход на 3-нм техпроцесс увеличит плотность размещения транзисторов на 70 % по сравнению с предшественником, скорость переключения транзисторов удастся увеличить на 10–15 %, а энергопотребление при неизменном быстродействии можно будет сократить на 25–30 %. По своим параметрам 3-нм технология в исполнении TSMC к моменту реализации в условиях серийного производства будет самой прогрессивной на рынке, как считают представители компании. Как всегда, первыми 3-нм техпроцесс на вооружение готовы взять разработчики мобильных процессоров и участники рынка высокопроизводительных вычислений. Переводя на понятный язык, к последним можно отнести разработчиков центральных и графических процессоров, включая серверные.
Слухи о намерениях TSMC отложить начало опытного производства 3-нм продуктов на несколько месяцев регулярно возникали с начала года, но на квартальной конференции представители компании заверили, что всё идёт по графику, и серийные изделия данного поколения увидят свет во второй половине 2022 года. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Вообще, представители TSMC признали, что сроки поставки технологического оборудования в условиях пандемии действительно увеличились, но всего лишь с двух недель до одного месяца, и по итогам года компания не ожидает существенного влияния данного фактора на подготовку к освоению новых техпроцессов. Не собирается компания сокращать и капитальные затраты ($15–16 млрд), основную часть которых будет направлять на освоение прогрессивных литографических технологий и расширение производственных мощностей. В долгосрочном прогнозе спрос на полупроводниковые изделия продолжит расти, а не сокращаться. Освоение 3-нм технологии идёт в полном соответствии с графиком. Опытное производство будет запущено в 2021 году, а серийное будет развёрнуто во второй половине 2022 года. При планировании перехода на нормы 3 нм компания изучила различные технологические альтернативы, и остановила свой выбор на хорошо знакомых FinFET-структурах, которые используются для создания кремниевых транзисторов очень давно. Переход на 3-нм техпроцесс увеличит плотность размещения транзисторов на 70 % по сравнению с предшественником, скорость переключения транзисторов удастся увеличить на 10–15 %, а энергопотребление при неизменном быстродействии можно будет сократить на 25–30 %. По своим параметрам 3-нм технология в исполнении TSMC к моменту реализации в условиях серийного производства будет самой прогрессивной на рынке, как считают представители компании. Как всегда, первыми 3-нм техпроцесс на вооружение готовы взять разработчики мобильных процессоров и участники рынка высокопроизводительных вычислений. Переводя на понятный язык, к последним можно отнести разработчиков центральных и графических процессоров, включая серверные.