Аналитики: Samsung стремится к монополии на рынке памяти - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Наш опрос



Наши новости

      
  • 24 марта 2016, 16:20
12-04-2016, 23:01
Аналитики: Samsung стремится к монополии на рынке памяти - «Новости сети»
Рейтинг:

  1. На днях аналитик компании Bernstein Research Марк Ньюмэн (Mark Newman) опубликовал доклад с прогнозом о будущем рынка компьютерной DRAM и NAND-флеш памяти. Надо сказать, что название доклада само по себе провокационно: «Samsung убивает новую парадигму памяти» (по-англ. Samsung Killed The New Memory Paradigm). Под «новой парадигмой» аналитик понимает ситуацию на рынке, когда снижение норм технологического процесса сильно затормозилось. Иначе говоря, работавшая до этого стратегия быстрого увеличения объёмов производства микросхем с помощью перехода на более тонки техпроцессы просто-напросто перестала работать.




  2. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  3. Каждый новый техпроцесс с нормами менее 30 нм стал даваться с существенными трудностями. Вспомните, с каким трудом AMD (а позже GlobalFoundries) осваивали внедрение 28-нм техпроцесса. Это длилось больше трёх лет. Да и Intel с внедрением 14-нм техпроцесса тоже «отличилась». Компании даже пришлось отказаться от стратегии «Тик-Так» в пользу более длительного цикла на этапе «Так». Подобные неприятности, по мнению аналитика, решаются сравнительно просто. Не надо напрягаться и «рвать тельняшку». Плавно снижаем объёмы и увеличиваем цену на продукцию.


  4. Что же делает Samsung? А компания Samsung переходит на выпуск микросхем DRAM класса 10 нм (на первом этапе — это память с нормами 18 нм). Это бьёт по производству DRAM компаний SK Hynix и Micron. Обе они приступят к выпуску «10-нм» компьютерной памяти только через год-полтора. На рынке флеш-памяти такая же неприятность. Три года назад компания Samsung приступила к выпуску многослойной памяти типа 3D NAND (3D V-NAND в терминах Samsung). Конкуренты только полгода назад начали массово выпускать подобную память, и всё ещё сильно ограничены в объёмах производства. Подобная прыть Samsung, уверен аналитик, позволит компании увеличить долю на рынке DRAM с 40 % до 50 % и больше, а на рынке флеш-памяти у Samsung и так заметное преимущество.




  5. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  6. Технологическое опережение Samsung и её неуёмные амбиции приведут к тому, цитируем, что «между конкурентами утратится доверие, возможно, навсегда». Мир уже никогда не будет прежним. Ещё одна цитата, удачно описывающая тон доклада, хотя она совершенно из другого источника. Невольно вспоминается ситуация почти пятнадцатилетней давности, когда производители памяти всем миром пытались утопить компанию Hynix. Тогда против неё была развёрнута широкомасштабная кампания с демпингом, антимонопольными разбирательствами и заградительными пошлинами, пока в 2004 году ВТО не встало на защиту компании Hynix. Интересно, дойдёт ли до подобного в случае с Samsung? А ведь она, на минуточку, выпускает также подводные лодки и самоходные гаубицы. Шутка.




  7. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  8. Вишенкой на торте в докладе аналитиков стало предупреждение об угрозе рынку памяти со стороны Китая. Речь идёт о строительстве производственного комплекса компании XMC Memory по выпуску 3D NAND. По этой позиции мы опередили аналитиков почти на месяц. Сегодня это призрачная угроза, но экономика в Китае развивается в соответствии с прогнозами (планово) и через пять лет завод XMC Memory сможет ежемесячно выпускать до 200 тыс. 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Это грозит обрушить рынок памяти и специалисты выражают обеспокоенность.
Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

На днях аналитик компании Bernstein Research Марк Ньюмэн (Mark Newman) опубликовал доклад с прогнозом о будущем рынка компьютерной DRAM и NAND-флеш памяти. Надо сказать, что название доклада само по себе провокационно: «Samsung убивает новую парадигму памяти» (по-англ. Samsung Killed The New Memory Paradigm). Под «новой парадигмой» аналитик понимает ситуацию на рынке, когда снижение норм технологического процесса сильно затормозилось. Иначе говоря, работавшая до этого стратегия быстрого увеличения объёмов производства микросхем с помощью перехода на более тонки техпроцессы просто-напросто перестала работать. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Каждый новый техпроцесс с нормами менее 30 нм стал даваться с существенными трудностями. Вспомните, с каким трудом AMD (а позже GlobalFoundries) осваивали внедрение 28-нм техпроцесса. Это длилось больше трёх лет. Да и Intel с внедрением 14-нм техпроцесса тоже «отличилась». Компании даже пришлось отказаться от стратегии «Тик-Так» в пользу более длительного цикла на этапе «Так». Подобные неприятности, по мнению аналитика, решаются сравнительно просто. Не надо напрягаться и «рвать тельняшку». Плавно снижаем объёмы и увеличиваем цену на продукцию. Что же делает Samsung? А компания Samsung переходит на выпуск микросхем DRAM класса 10 нм (на первом этапе — это память с нормами 18 нм). Это бьёт по производству DRAM компаний SK Hynix и Micron. Обе они приступят к выпуску «10-нм» компьютерной памяти только через год-полтора. На рынке флеш-памяти такая же неприятность. Три года назад компания Samsung приступила к выпуску многослойной памяти типа 3D NAND (3D V-NAND в терминах Samsung). Конкуренты только полгода назад начали массово выпускать подобную память, и всё ещё сильно ограничены в объёмах производства. Подобная прыть Samsung, уверен аналитик, позволит компании увеличить долю на рынке DRAM с 40 % до 50 % и больше, а на рынке флеш-памяти у Samsung и так заметное преимущество. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Технологическое опережение Samsung и её неуёмные амбиции приведут к тому, цитируем, что «между конкурентами утратится доверие, возможно, навсегда». Мир уже никогда не будет прежним. Ещё одна цитата, удачно описывающая тон доклада, хотя она совершенно из другого источника. Невольно вспоминается ситуация почти пятнадцатилетней давности, когда производители памяти всем миром пытались утопить компанию Hynix. Тогда против неё была развёрнута широкомасштабная кампания с демпингом, антимонопольными разбирательствами и заградительными пошлинами, пока в 2004 году ВТО не встало на защиту компании Hynix. Интересно, дойдёт ли до подобного в случае с Samsung? А ведь она, на минуточку, выпускает также подводные лодки и самоходные гаубицы. Шутка. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Вишенкой на торте в докладе аналитиков стало предупреждение об угрозе рынку памяти со стороны Китая. Речь идёт о строительстве производственного комплекса компании XMC Memory по выпуску 3D NAND. По этой позиции мы опередили аналитиков почти на месяц. Сегодня это призрачная угроза, но экономика в Китае развивается в соответствии с прогнозами (планово) и через пять лет завод XMC Memory сможет ежемесячно выпускать до 200 тыс. 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Это грозит обрушить рынок памяти и специалисты выражают обеспокоенность.
Просмотров: 1 149
Комментариев: 0:   12-04-2016, 23:01
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме: