SK Hynix строит новый R&D-центр для разработки флеш-памяти - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Наш опрос



Наши новости

       
2-10-2017, 05:01
SK Hynix строит новый R&D-центр для разработки флеш-памяти - «Новости сети»
Рейтинг:

  1. В конце прошлой недели южнокорейский производитель памяти SK Hynix сообщил о планах построить крупнейший в своём роде центр по разработке и проектированию энергонезависимой памяти и, в частности, памяти NAND-типа. На этот проект отведено 200 млрд южнокорейских вон, что примерно эквивалентно $174 млн. Строительство должно быть завершено в сентябре 2019 года. В новый центр планируется перевести всех сотрудников в данной области, которые разбросаны по другим предприятиям компании.


  2. SK Hynix строит новый R&D-центр для разработки флеш-памяти - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  3. Строительство центра в Ичхоне — это рядом с штаб-квартирой SK Hynix в стране — начнётся в октябре этого года. На площади порядка 90 000 квадратных метров будет построено 15-этажное здание с 5 подземными этажами. В здании будут работать 4000 сотрудников компании в области разработки NAND-флеш и других перспективных технологий.

  4. Центр по разработке «NAND» будет расположен недалеко от двух других центров компании — SUPEX Center и R3, которые работают над технологиями производства памяти типа DRAM (оперативной). В компании рассчитывают, что близость центров по разработке обоих типов памяти будет способствовать общению специалистов из разных областей и поможет появиться новым «синергетическим» продуктам SK Hynix. Например, речь может идти о модулях NVDIMM ((non-volatile DIMM).


  5. SK Hynix строит новый R&D-центр для разработки флеш-памяти - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  6. Производство памяти NAND (и 3D NAND) становится ключевым для компании SK Hynix. На совершенствование и расширение производства флеш-памяти компания заложила в текущем году 9,6 трлн вон ($8,3 млрд) — на 2,6 трлн вон больше, чем планировалось первоначально. Около 2,2 трлн вон компания вложила в развёртывание новых линий на заводе в Чхонджу. А на днях стало известно, что компания инвестирует 4 трлн вон (395 млрд иен) в покупку части полупроводникового бизнеса Toshiba. За эти деньги SK Hynix рассчитывает получить до 15 % акций японского производителя Toshiba Memory, который в основном занимается выпуском флеш-памяти. Всё вместе взятое обещает улучшить позиции SK Hynix на рынке NAND-флеш, а нам с вами даёт надежду увидеть изобилие продукции на её основе.

В конце прошлой недели южнокорейский производитель памяти SK Hynix сообщил о планах построить крупнейший в своём роде центр по разработке и проектированию энергонезависимой памяти и, в частности, памяти NAND-типа. На этот проект отведено 200 млрд южнокорейских вон, что примерно эквивалентно $174 млн. Строительство должно быть завершено в сентябре 2019 года. В новый центр планируется перевести всех сотрудников в данной области, которые разбросаны по другим предприятиям компании. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Строительство центра в Ичхоне — это рядом с штаб-квартирой SK Hynix в стране — начнётся в октябре этого года. На площади порядка 90 000 квадратных метров будет построено 15-этажное здание с 5 подземными этажами. В здании будут работать 4000 сотрудников компании в области разработки NAND-флеш и других перспективных технологий. Центр по разработке «NAND» будет расположен недалеко от двух других центров компании — SUPEX Center и R3, которые работают над технологиями производства памяти типа DRAM (оперативной). В компании рассчитывают, что близость центров по разработке обоих типов памяти будет способствовать общению специалистов из разных областей и поможет появиться новым «синергетическим» продуктам SK Hynix. Например, речь может идти о модулях NVDIMM ((non-volatile DIMM). Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Производство памяти NAND (и 3D NAND) становится ключевым для компании SK Hynix. На совершенствование и расширение производства флеш-памяти компания заложила в текущем году 9,6 трлн вон ($8,3 млрд) — на 2,6 трлн вон больше, чем планировалось первоначально. Около 2,2 трлн вон компания вложила в развёртывание новых линий на заводе в Чхонджу. А на днях стало известно, что компания инвестирует 4 трлн вон (395 млрд иен) в покупку части полупроводникового бизнеса Toshiba. За эти деньги SK Hynix рассчитывает получить до 15 % акций японского производителя Toshiba Memory, который в основном занимается выпуском флеш-памяти. Всё вместе взятое обещает улучшить позиции SK Hynix на рынке NAND-флеш, а нам с вами даёт надежду увидеть изобилие продукции на её основе.

Теги: Новости сети, памяти Hynix трлн компании разработке

Просмотров: 897
Комментариев: 0:   2-10-2017, 05:01
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме:
Комментарии для сайта Cackle