Samsung начала выпуск 8-Гбайт памяти HBM2 с наивысшей скоростью обмена - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Наш опрос



Наши новости

      
  • 24 марта 2016, 16:20
11-01-2018, 04:01
Samsung начала выпуск 8-Гбайт памяти HBM2 с наивысшей скоростью обмена - «Новости сети»
Рейтинг:


Компания Samsung Electronics сообщила о начале производства второго поколения памяти HBM2 в виде чипов ёмкостью 8 Гбайт (не путать с HBM). Память HBM2 Samsung первого поколения в 8-Гбайт чипах выпускается больше года. Она распространяется под торговой маркой Flarebolt. Чипы HBM2 второго поколения объёмом 8 Гбайт компания Samsung будет распространять под именем Aquabolt. Отличительной особенностью HBM2 Aquabolt от HBM2 Flarebolt станет увеличенная примерно на 50 % скорость обмена данными по каждому контакту.


Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»





Чипы Samsung HBM2 первого поколения обеспечивали скорость обмена 1,6 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В. При напряжении питания 1,35 В скорость обмена росла до 2 Гбит/с. Микросхемы Samsung HBM2 второго поколения могут похвастаться скоростью обмена на уровне 2,4 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В или 307 Гбайт/с на чип, что в 9,6 раз быстрее скорости обмена с 8-Гбит чипом GDDR5 с производительностью 8 Гбит/с на контакт (32 Гбайт/с). Рост производительности сборок HBM2 с радостью примут производители решений для ИИ, ускорителей вычислений и разработчики графических процессоров.


Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»





Стек Aquabolt HBM2 8 Гбайт состоит из восьми 8-Гбит кристаллов, соединённых сквозными TSVs-соединениями. В каждом кристалле имеется свыше 5000 сквозных отверстий с металлизацией. Для улучшения отвода тепла от каждого слоя Samsung увеличила в чипах число специальных теплоотводных буферов-прослоек. Это, а также определённые схемотехнические решения позволили снизить расфазировку синхронизирующих импульсов управляющих сигналов и поднять скорость обмена по контакту до заявленной рекордной отметки 2,4 Гбит/с. Дополнительно внизу каждого стека теперь предусмотрено усиленное основание. Это повысит механическую прочность стека, что важно с учётом опасности сколов.
Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

Компания Samsung Electronics сообщила о начале производства второго поколения памяти HBM2 в виде чипов ёмкостью 8 Гбайт (не путать с HBM). Память HBM2 Samsung первого поколения в 8-Гбайт чипах выпускается больше года. Она распространяется под торговой маркой Flarebolt. Чипы HBM2 второго поколения объёмом 8 Гбайт компания Samsung будет распространять под именем Aquabolt. Отличительной особенностью HBM2 Aquabolt от HBM2 Flarebolt станет увеличенная примерно на 50 % скорость обмена данными по каждому контакту. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Чипы Samsung HBM2 первого поколения обеспечивали скорость обмена 1,6 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В. При напряжении питания 1,35 В скорость обмена росла до 2 Гбит/с. Микросхемы Samsung HBM2 второго поколения могут похвастаться скоростью обмена на уровне 2,4 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В или 307 Гбайт/с на чип, что в 9,6 раз быстрее скорости обмена с 8-Гбит чипом GDDR5 с производительностью 8 Гбит/с на контакт (32 Гбайт/с). Рост производительности сборок HBM2 с радостью примут производители решений для ИИ, ускорителей вычислений и разработчики графических процессоров. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Стек Aquabolt HBM2 8 Гбайт состоит из восьми 8-Гбит кристаллов, соединённых сквозными TSVs-соединениями. В каждом кристалле имеется свыше 5000 сквозных отверстий с металлизацией. Для улучшения отвода тепла от каждого слоя Samsung увеличила в чипах число специальных теплоотводных буферов-прослоек. Это, а также определённые схемотехнические решения позволили снизить расфазировку синхронизирующих импульсов управляющих сигналов и поднять скорость обмена по контакту до заявленной рекордной отметки 2,4 Гбит/с. Дополнительно внизу каждого стека теперь предусмотрено усиленное основание. Это повысит механическую прочность стека, что важно с учётом опасности сколов.
Просмотров: 832
Комментариев: 0:   11-01-2018, 04:01
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме: