На днях на встрече с инвесторами глава TSMC Моррис Чан (Morris Chang) изложил перспективы внедрения на линиях компании новых техпроцессов. Но разговор он начал с рассказа о темпах адаптации 7-нм техпроцесса. Все выпускаемые решения с использованием 7-нм технологических норм с транзисторами FinFET полностью соответствуют ожиданиям как по электрическим характеристикам, так и по уровню выхода годных изделий. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Сейчас компания выпускает 18 решений с нормами 7 нм (N7). До конца года TSMC рассчитывает получить дополнительно свыше 50 заказов на выпуск с данными нормами. Это будут мобильные чипы, серверные центральные и сетевые процессоры, решения для игровых платформ, графические процессоры, матрицы FPGA, решения для добычи криптовалюты, автомобильные чипы и решения для искусственного интеллекта. Никаких ограничений по объёмам производства с нормами 7 нм нет. Расширить успех 7-нм техпроцесса компания намерена с помощью быстрого внедрения улучшенного техпроцесса с нормами 7 нм (N7 ). Рынок смартфонов, подчёркивают в TSMC, просто заставит компанию сделать это наибыстрейшим образом. Производство с нормами 7 нм начнётся во второй половине следующего года. Отличительной особенностью техпроцесса N7 от N7 станет использование сканеров диапазона EUV для обработки нескольких слоёв в кристаллах. В компании отмечают, что быстрый переход на техпроцесс N7 возможен благодаря тому, что 90 % технологических операций с чипами будут теми же самыми, что и в случае 10-нм и 7-нм техпроцессов. Но даже такое небольшое отличие позволит увеличить плотность размещения элементов на кристаллах до 20 % и более чем на 10 % снизит потребление чипов. Проектировщикам решений, кстати, будет очень легко перевести дизайн с техпроцесса N7 на N7 , чем некоторые из клиентов TSMC уже занялись. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Но самым обнадёживающим заявлением главы TSMC стало подтверждение плановому наступлению на 5-нм техпроцесс (5N). В компании располагают опытными 5-нм 256-Мбит (массивами) микросхемами SRAM. Уровень брака при опытном производстве этих решений снижен на «десятки» процентов. Массовое производство с данными нормами компания начнёт в 2020 году (завод уже строится). Этому также поспособствует вывод EUV-сканеров в ближайшие квартал на ожидаемую отметку мощности излучения, равной 250 Вт, что значительно повысит производительность сканеров. Техпроцесс с нормами 5 нм прибудет в срок и будет иметь долгую производственную жизнь, уверены в TSMC.