В полном соответствии с намеченными ранее планами компания Toshiba Memory Corporation приступила к строительству нового завода для производства памяти 3D NAND (торговая марка BiCS FLASH). Завод будет построен на новой для Toshiba площадке на севере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Возведение цехов и подготовка инфраструктуры будут завершены осенью 2019 года. Завод в Китаками дополнит мощности предприятия компании в Йоккаичи. В Toshiba Memory ожидают неизменно растущий спрос на флеш-память и SSD и желают подготовиться к требованиям растущего рынка. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Объёмы производства и необходимые инвестиции для закупки оборудования для производства микросхем будут определены позже на основании складывающейся рыночной ситуации. Пока же компания обещает создать сейсмоустойчивое сооружение с использованием всех современных энергосберегающих технологий. Управлять производственными процессами будет искусственный интеллект, что обещает поднять производительность до максимально возможного уровня. Для привлечения инвестиций со стороны в Toshiba Memory приступили к обсуждению условий расширения сотрудничества с компанией Western Digital. Американский производитель жёстких дисков и SSD уже является партнёром Toshiba Memory и, скорее всего, создаст с ней ещё одно совместное предприятие уже на базе нового завода. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Вместе с компанией Samsung японская Toshiba Memory много лет делят первые места на рынке флеш-памяти. В недавнем прошлом Samsung вышла вперёд с разработкой многослойной NAND (3D NAND). На данном этапе Toshiba Memory стремится догнать конкурента и демонстрирует прогресс в разработке и производстве передовых микросхем. Например, на днях Toshiba сообщила о начале поставок SSD на 96-слойной 3D NAND TLC (256-Гбит или 512-Гбит, не уточняется). Компания Samsung пока ничем таким похвастаться не может, хотя тоже приступила к производству 90-слойной 3D NAND ёмкостью 256 Гбит. Новый завод Toshiba Memory начнёт производство с 96-слойной или более сложной памяти. Фундамент для этого уже заложен.