•
Если человек ощущает свое участие в жизни общества, он создает не только материальные ценности для людей - он создает и самого себя. Из работы, в которой ярко выражен дух гражданственности, начинается истинное самовоспитание.
Афоризмы
•
Поистине, подобно солнцу, люблю я жизнь и все глубокие моря. И вот что называю я познанием: чтобы все глубокое поднялось на высоту мою!
Афоризмы
•
- «Оставайтесь голодными. Оставайтесь безрассудными». И я всегда желал себе этого. И теперь, когда вы заканчиваете институт и начинаете заново, я желаю этого вам.
Афоризмы
•
Воспитание личности - это воспитание такого стойкого морального начала, благодаря которому человек сам становится источником благотворного влияния на других, сам воспитывается и в процессе самовоспитания еще более утверждает в себе собственное моральное начало.
В апреле случилось немыслимое: китайцы заявили о разработке и о готовности выпускать самую плотную в индустрии флеш-память - 128-слойные 1,33-Тбит чипы QLC 3D NAND. В ответ на это Samsung начала ускоренно доводить до ума техпроцессы по выпуску 160-слойной 3D NAND, но пока опытный выпуск таких чипов сильно страдает от высокого уровня брака. Решить проблему с браком призвана специальная группа компании, о создании которой сообщают источники.
Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»
Как сообщает сайт SamMobile, в Samsung создана группа из лучших специалистов, которая будет снижать уровень брака при производстве 160-слойных чипов 3D NAND. Около года назад компания успешно внедрила выпуск 128-слойных микросхем. Причём сделала она это максимально удобным способом - сумев организовать обработку пластин в едином цикле. Проще говоря, кристаллы обрабатываются на всю 128-слойную глубину, а не собираются из двух или трёх кристаллов с меньшим числом слоёв.
В то же время необходимо подчеркнуть, что изготовление 128-слойных 3D NAND за «один проход» обходится компании всего на 30 % дешевле, чем за два прохода (чем сборка из двух кристаллов). Это происходит по той причине, что время «бурения» отверстий на 128-слойную глубину в два раза больше, чем проделывание отверстий на глубину 96 слоёв.
Нетрудно представить, что удвоение времени на обработку каждой пластины снижает производительность и увеличивает себестоимость продукции. Спецгруппа специалистов Samsung будет решать также эту проблему, хотя сам по себе переход с выпуска 128-слойных микросхем на 160-слойные увеличивает продуктивность производства на 20 % с каждой пластины (вероятно, в пересчёте на суммарную ёмкость микросхем с каждой пластины).
Обычно Samsung рассказывает о своих новых достижениях в области производства 3D NAND в начале августа в ходе саммита Flash Memory. До этого события остаётся совсем мало времени и представляется маловероятным, что к его началу компания успеет наладить массовое производство 160-слойной 3D NAND. Но к концу года или в течение осени это вполне может произойти. В любом случае, уже в следующем году нас будут ждать SSD на 160-слойной 3D NAND, а стоимость хранения одного гигабайта данных на твердотельных накопителях станет ещё немного меньше.
В апреле случилось немыслимое: китайцы заявили о разработке и о готовности выпускать самую плотную в индустрии флеш-память - 128-слойные 1,33-Тбит чипы QLC 3D NAND. В ответ на это Samsung начала ускоренно доводить до ума техпроцессы по выпуску 160-слойной 3D NAND, но пока опытный выпуск таких чипов сильно страдает от высокого уровня брака. Решить проблему с браком призвана специальная группа компании, о создании которой сообщают источники. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Как сообщает сайт SamMobile, в Samsung создана группа из лучших специалистов, которая будет снижать уровень брака при производстве 160-слойных чипов 3D NAND. Около года назад компания успешно внедрила выпуск 128-слойных микросхем. Причём сделала она это максимально удобным способом - сумев организовать обработку пластин в едином цикле. Проще говоря, кристаллы обрабатываются на всю 128-слойную глубину, а не собираются из двух или трёх кристаллов с меньшим числом слоёв. В то же время необходимо подчеркнуть, что изготовление 128-слойных 3D NAND за «один проход» обходится компании всего на 30 % дешевле, чем за два прохода (чем сборка из двух кристаллов). Это происходит по той причине, что время «бурения» отверстий на 128-слойную глубину в два раза больше, чем проделывание отверстий на глубину 96 слоёв. Нетрудно представить, что удвоение времени на обработку каждой пластины снижает производительность и увеличивает себестоимость продукции. Спецгруппа специалистов Samsung будет решать также эту проблему, хотя сам по себе переход с выпуска 128-слойных микросхем на 160-слойные увеличивает продуктивность производства на 20 % с каждой пластины (вероятно, в пересчёте на суммарную ёмкость микросхем с каждой пластины). Обычно Samsung рассказывает о своих новых достижениях в области производства 3D NAND в начале августа в ходе саммита Flash Memory. До этого события остаётся совсем мало времени и представляется маловероятным, что к его началу компания успеет наладить массовое производство 160-слойной 3D NAND. Но к концу года или в течение осени это вполне может произойти. В любом случае, уже в следующем году нас будут ждать SSD на 160-слойной 3D NAND, а стоимость хранения одного гигабайта данных на твердотельных накопителях станет ещё немного меньше.