•
Если человек ощущает свое участие в жизни общества, он создает не только материальные ценности для людей - он создает и самого себя. Из работы, в которой ярко выражен дух гражданственности, начинается истинное самовоспитание.
Афоризмы
•
Поистине, подобно солнцу, люблю я жизнь и все глубокие моря. И вот что называю я познанием: чтобы все глубокое поднялось на высоту мою!
Афоризмы
•
- «Оставайтесь голодными. Оставайтесь безрассудными». И я всегда желал себе этого. И теперь, когда вы заканчиваете институт и начинаете заново, я желаю этого вам.
Афоризмы
•
Воспитание личности - это воспитание такого стойкого морального начала, благодаря которому человек сам становится источником благотворного влияния на других, сам воспитывается и в процессе самовоспитания еще более утверждает в себе собственное моральное начало.
Московский физико-технический институт (МФТИ) и компания «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) сообщили о начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магниторезистивной памяти STT-MRAM.
Память MRAM хранит информацию при помощи магнитных моментов. Технология STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory), в свою очередь, использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Применение этого эффекта в традиционной магниторезистивной памяти позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс с нормами от 90 до 22 нанометров и меньше.
Сообщается, что МФТИ и КНЭ направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн микрочипов, а также разработку методов их контроля и моделирования. Выпуск памяти STT-MRAM планируется организовать на мощностях КНЭ: технологическая площадка этой компании позволяет производить продукцию на основе магнитных туннельных структур по топологической норме до 90/65 нанометров на пластинах диаметром 300 мм.
«Производственные мощности нашей компании идеально подходят для создания встроенных или дискретных продуктов на основе STT-MRAM. Мы ожидаем, что в ближайшее время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов перезаписи, скорость и энергопотребление», — сообщили в КНЭ.
Добавим, что в настоящее время все крупнейшие производители динамической оперативной памяти DRAM имеют свои программы STT-MRAM — данная технология считается основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем.
Московский физико-технический институт (МФТИ) и компания «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) сообщили о начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магниторезистивной памяти STT-MRAM. Память MRAM хранит информацию при помощи магнитных моментов. Технология STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory), в свою очередь, использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Применение этого эффекта в традиционной магниторезистивной памяти позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс с нормами от 90 до 22 нанометров и меньше. Сообщается, что МФТИ и КНЭ направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн микрочипов, а также разработку методов их контроля и моделирования. Выпуск памяти STT-MRAM планируется организовать на мощностях КНЭ: технологическая площадка этой компании позволяет производить продукцию на основе магнитных туннельных структур по топологической норме до 90/65 нанометров на пластинах диаметром 300 мм. «Производственные мощности нашей компании идеально подходят для создания встроенных или дискретных продуктов на основе STT-MRAM. Мы ожидаем, что в ближайшее время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов перезаписи, скорость и энергопотребление», — сообщили в КНЭ. Добавим, что в настоящее время все крупнейшие производители динамической оперативной памяти DRAM имеют свои программы STT-MRAM — данная технология считается основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем.