JEDEC разрабатывает стандарт для силовой электроники будущего - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Наш опрос



Наши новости

       
13-09-2017, 23:00
JEDEC разрабатывает стандарт для силовой электроники будущего - «Новости сети»
Рейтинг:

  1. Комитет JEDEC сообщил об учреждении двух подкомитетов, которые займутся разработкой стандарта для всеобъемлющей характеристики силовых элементов на основе так называемых широкозонных полупроводников (JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors). В основном речь идёт о стандартизации транзисторов для блоков питания и подсистем питания, в том числе интегрированных. На сегодня для этого в используются соединения нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Соответственно, один подкомитет займётся стандартизацией элементов на основе нитрида галлия, а второй — на основе карбида кремния.


  2. JEDEC разрабатывает стандарт для силовой электроники будущего - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  3. Полупроводники с широкой запрещённой зоной (Wide Bandgap) обладают низким динамическим сопротивлением и низким пороговым напряжением переключения. Силовые транзисторы на основе GaN и SiC способны выдерживать значительные токи при весьма компактных размерах. Также эти материалы демонстрируют минимальные потери при переходных процессах, что ощутимо повышает КПД блоков питания на транзисторах из нитрида галлия на подложках из карбида кремния. Всё это востребовано в связи с тенденцией перехода на электротранспорт и в свете всеобщей борьбы со снижением издержек на преобразование электроэнергии.


  4. JEDEC разрабатывает стандарт для силовой электроники будущего - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  5. Комитет JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors временно возглавят представители компаний Infineon, Texas Instruments и Wolfspeed (ранее Cree Company). Все эти компании активно выпускают силовые элементы на широкозонных полупроводниках. Совокупная доля компаний Infineon и Wolfspeed на рынке SiC-элементов, например, приближается к 70 %. Одним словом, за дело возьмутся специалисты.

  6. JEDEC разрабатывает стандарт для силовой электроники будущего - «Новости сети»

  7. Следует сказать, что рабочая группа по изучению вопросов стандартизации широкозонных полупроводников — GaNSPEC — была создана внутри индустрии ещё весной 2016 года. Вскоре после этого комитет JEDEC начал обеспечивать группе поддержку в логистике. Аналогичная группа SiCSPEC изучала карбидокремниевые элементы. Обе группы включают порядка 50 представителей производителей полупроводников, промышленного оборудования, разработчиков технологий, учёных и работников государственных лабораторий из США, Европы и Азии. Все они дальше будут работать под эгидой JEDEC.


  8. JEDEC разрабатывает стандарт для силовой электроники будущего - «Новости сети»


    Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



  9. В результате деятельности комитета обещает появиться стандарт, облегчающий разработку, производство и использование широкозонных полупроводников в силовых элементах. Блоки питания станут на порядок компактнее и намного эффективнее.

Комитет JEDEC сообщил об учреждении двух подкомитетов, которые займутся разработкой стандарта для всеобъемлющей характеристики силовых элементов на основе так называемых широкозонных полупроводников (JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors). В основном речь идёт о стандартизации транзисторов для блоков питания и подсистем питания, в том числе интегрированных. На сегодня для этого в используются соединения нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Соответственно, один подкомитет займётся стандартизацией элементов на основе нитрида галлия, а второй — на основе карбида кремния. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Полупроводники с широкой запрещённой зоной (Wide Bandgap) обладают низким динамическим сопротивлением и низким пороговым напряжением переключения. Силовые транзисторы на основе GaN и SiC способны выдерживать значительные токи при весьма компактных размерах. Также эти материалы демонстрируют минимальные потери при переходных процессах, что ощутимо повышает КПД блоков питания на транзисторах из нитрида галлия на подложках из карбида кремния. Всё это востребовано в связи с тенденцией перехода на электротранспорт и в свете всеобщей борьбы со снижением издержек на преобразование электроэнергии. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Комитет JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors временно возглавят представители компаний Infineon, Texas Instruments и Wolfspeed (ранее Cree Company). Все эти компании активно выпускают силовые элементы на широкозонных полупроводниках. Совокупная доля компаний Infineon и Wolfspeed на рынке SiC-элементов, например, приближается к 70 %. Одним словом, за дело возьмутся специалисты. Следует сказать, что рабочая группа по изучению вопросов стандартизации широкозонных полупроводников — GaNSPEC — была создана внутри индустрии ещё весной 2016 года. Вскоре после этого комитет JEDEC начал обеспечивать группе поддержку в логистике. Аналогичная группа SiCSPEC изучала карбидокремниевые элементы. Обе группы включают порядка 50 представителей производителей полупроводников, промышленного оборудования, разработчиков технологий, учёных и работников государственных лабораторий из США, Европы и Азии. Все они дальше будут работать под эгидой JEDEC. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» В результате деятельности комитета обещает появиться стандарт, облегчающий разработку, производство и использование широкозонных полупроводников в силовых элементах. Блоки питания станут на порядок компактнее и намного эффективнее.

Теги: Новости сети, широкозонных основе размещенная полупроводников сайте

Просмотров: 880
Комментариев: 0:   13-09-2017, 23:00
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме: