Samsung задумалась о выпуске DRAM с использованием сканеров EUV - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Видео уроки
Популярные статьи
Наш опрос



Наши новости


РЕКЛАМА


ВАША РЕКЛАМА
ДОБАВИТЬ БАННЕР


30-11-2017, 08:00
Samsung задумалась о выпуске DRAM с использованием сканеров EUV - «Новости сети»
Рейтинг:


Как уже широко объявлено, во второй половине следующего года компания Samsung первой в мире начнёт коммерческую эксплуатацию литографического оборудования с проекцией в диапазоне EUV (жёсткое ультрафиолетовое излучение). С помощью EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм Samsung намерена производить чипы с технологическими нормами 7 нм. Безусловно, речь идёт о процессорах, контроллерах и другой сложной логике. Преимуществом данного шага станет то, что сканеры EUV сократят производственный цикл обработки кремниевых пластин. Пока они ещё недостаточно быстрые по сравнению с классическими 193-нм сканерами, но зато они смогут «нарисовать» на пластине один слой чипа за один проход, тогда как 193-нм сканерам на это потребуется не менее четырёх проходов (фотошаблонов).


Воспользоваться преимуществами EUV-проекции компания Samsung также может при производстве памяти типа DRAM. Об этом на днях сообщили анонимные источники, знакомые с планами Samsung. Утверждается, что Samsung задумалась о переводе производства DRAM на EUV-сканеры. С прошлого года Samsung массово выпускает микросхемы оперативной памяти с использованием 193-нм сканеров с нормами 18 нм. Дальнейшее уменьшение масштабов техпроцесса сопряжено с рядом трудностей, среди которых также невозможность простого уменьшения линейных размеров элементов на кристалле. Как и в случае производства логики, для выпуска памяти компании Samsung приходится использовать от двух до четырёх фотошаблонов на каждый рабочий слой чипа DRAM. Переход на EUV-сканеры позволит компании увеличить технологический и производственный отрыв от конкурентов.



Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»




Первыми выпускать 7-нм продукцию (и использовать EUV-сканеры) будут действующие заводы Samsung. В частности, завод Line 17 в Хвасоне. На предприятии уже работает одна EUV-установка и готовится поступить ещё одна. Всего Samsung заказала у компании ASML 8 или 9 EUV сканеров. Особенность предприятия Line 17 в том, что оно будет выпускать как память, так и логические схемы, включая и контрактные заказы. Можно предположить, что за слухами о переводе DRAM на линии с EUV-сканерами стоит именно факт универсальности этого предприятия. Как бы там ни было, Samsung окажется потенциально способной начать выпуск памяти с использованием EUV-проекции уже в 2019 году.


В заключение надо сказать, что основная проблема с уменьшением масштаба техпроцесса для выпуска памяти заключается вовсе не в количестве фотошаблонов и длительности циклов обработки. Память DRAM по строению очень простая: каждая её ячейка — это транзистор и конденсатор. Сложность в том, что физический объём конденсатора становится настолько мал, что там уже невозможно хранить достаточно заряда (электронов) для надёжной записи данных. Поэтому использование EUV-сканеров вряд ли поможет компании начать выпуск микросхем памяти по 7-, 5-нм и более тонким техпроцессам. Но наверняка может упростить производство DRAM в диапазоне 15–10 нм.

Теги: Новости сети, Samsung памяти DRAM компании 193-нм

Просмотров: 1 805
Комментариев: 0:   30-11-2017, 08:00
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме:
Комментарии для сайта Cackle