Samsung в целом завершила разработку 3-нм техпроцесса и запустит его в 2020 году - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Видео уроки
Наш опрос



Наши новости

       
5-12-2018, 09:00
Samsung в целом завершила разработку 3-нм техпроцесса и запустит его в 2020 году - «Новости сети»
Рейтинг:


В понедельник на стартовавшей годовой конференции International Electronic Devices Meeting (IEDM 2018) глава контрактного подразделения компании Samsung Electronics д-р Юнг (Dr. ES Jung) сделал интересное заявление. Согласно приведённой на сайте Pulsenews цитате (которой нет в официальном пресс-релизе), Samsung намерена запустить массовое производство чипов с использованием 3-нм техпроцесса в 2020 году. Ранее компания Samsung официально сообщала, что техпроцесс с нормами 3 нм с использованием кольцевых затворов (Gate-All-Around Early/Plus, 3GAAE/GAAP) будет внедрён в массовое производство в 2021 году. Если компания действительно собирается форсировать внедрение 3-нм техпроцесса, то это означает, что она нацелена на значительный рывок на рынке контрактных полупроводников.



Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»




По поводу 3-нм техпроцесса GAA в пресс-релизе Samsung сказано, что полное название технологии звучит как Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET). Каналы транзисторов в такой структуре представляют собой вертикальный стек из нескольких уложенных друг на друга наностраниц (мостов), каждая из которых окружена собственным затвором. Характеристиками таких транзисторов легко управлять, варьируя ширину наностраниц и их количество, тем самым оптимизируя транзисторы для той или иной задачи. Что самое приятное, эти структуры можно выпускать на тех же самых линиях, что и структуры с транзисторами FinFET с совпадением технологий производства до 90 %. Необходимо лишь изменить часть фотошаблонов, что обеспечит простую миграцию с FinFET-техпроцессов на GAA-техпроцессы.



Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



Без учёта цитаты на Pulsenews, Samsung говорит о завершении квалификации 3-нм техпроцесса. Начало производства с этими нормами стартует по плану, а всё оставшееся до этого момента время компания посвятит шлифовке деталей нового техпроцесса. Да, самое интересное, что Samsung выпустила опытный массив SRAM с использованием 3-нм техпроцесса MBCFET, однако пока данных о характеристиках образца нет. Как только они появятся, мы сразу об этом сообщим.



Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»




Зачем Samsung нужен этот рывок, если он действительно запланирован? Обоснованно предполагается, что Samsung необходимо усилить направление на контрактное производство чипов. Это снизит зависимость от рынка DRAM, который подвержен сильным колебаниям. На этапе внедрения 7-нм техпроцесса Samsung уступила компании TSMC, но может обогнать её на этапе внедрения 3-нм техпроцесса. Сейчас Samsung вкладывает огромные деньги в полупроводниковые предприятия по выпуску чипов, включая контрактное производство. В ближайшие годы она рассчитывает довести годовую выручку на этом направлении до $10 млрд и выше, тогда как в прошлом году выручила около $4,6 млрд. Выход на цифру $10 млрд сделает Samsung второй по величине в мире на рынке контрактников после TSMC.

В понедельник на стартовавшей годовой конференции International Electronic Devices Meeting (IEDM 2018) глава контрактного подразделения компании Samsung Electronics д-р Юнг (Dr. ES Jung) сделал интересное заявление. Согласно приведённой на сайте Pulsenews цитате (которой нет в официальном пресс-релизе), Samsung намерена запустить массовое производство чипов с использованием 3-нм техпроцесса в 2020 году. Ранее компания Samsung официально сообщала, что техпроцесс с нормами 3 нм с использованием кольцевых затворов (Gate-All-Around Early/Plus, 3GAAE/GAAP) будет внедрён в массовое производство в 2021 году. Если компания действительно собирается форсировать внедрение 3-нм техпроцесса, то это означает, что она нацелена на значительный рывок на рынке контрактных полупроводников. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» По поводу 3-нм техпроцесса GAA в пресс-релизе Samsung сказано, что полное название технологии звучит как Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET). Каналы транзисторов в такой структуре представляют собой вертикальный стек из нескольких уложенных друг на друга наностраниц (мостов), каждая из которых окружена собственным затвором. Характеристиками таких транзисторов легко управлять, варьируя ширину наностраниц и их количество, тем самым оптимизируя транзисторы для той или иной задачи. Что самое приятное, эти структуры можно выпускать на тех же самых линиях, что и структуры с транзисторами FinFET с совпадением технологий производства до 90 %. Необходимо лишь изменить часть фотошаблонов, что обеспечит простую миграцию с FinFET-техпроцессов на GAA-техпроцессы. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Без учёта цитаты на Pulsenews, Samsung говорит о завершении квалификации 3-нм техпроцесса. Начало производства с этими нормами стартует по плану, а всё оставшееся до этого момента время компания посвятит шлифовке деталей нового техпроцесса. Да, самое интересное, что Samsung выпустила опытный массив SRAM с использованием 3-нм техпроцесса MBCFET, однако пока данных о характеристиках образца нет. Как только они появятся, мы сразу об этом сообщим. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Зачем Samsung нужен этот рывок, если он действительно запланирован? Обоснованно предполагается, что Samsung необходимо усилить направление на контрактное производство чипов. Это снизит зависимость от рынка DRAM, который подвержен сильным колебаниям. На этапе внедрения 7-нм техпроцесса Samsung уступила компании TSMC, но может обогнать её на этапе внедрения 3-нм техпроцесса. Сейчас Samsung вкладывает огромные деньги в полупроводниковые предприятия по выпуску чипов, включая контрактное производство. В ближайшие годы она рассчитывает довести годовую выручку на этом направлении до $10 млрд и выше, тогда как в прошлом году выручила около $4,6 млрд. Выход на цифру $10 млрд сделает Samsung второй по величине в мире на рынке контрактников после TSMC.

Теги: Новости сети, Samsung 3-нм техпроцесса сайте производство

Просмотров: 629
Комментариев: 0:   5-12-2018, 09:00
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме:
Комментарии для сайта Cackle