---

Очевидный курс массового автотранспорта на электромобили, солнечная энергетика и общее развитие электроники в сторону мобильности открыто намекают на важность развития силовой полупроводниковой электроники. В перспективе отрасль будет переходить на новые материалы из разряда широкозонных полупроводников: соединения нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и некоторых других материалов. Но это потребует времени и дополнительных ресурсов, тогда как улучшить характеристики силовых транзисторов MOSFET можно с помощью более доступных технологий, например, освоив выпуск так называемых «траншейных» MOSFET (Trench MOSFET).

Так, компания АО «Ангстрем-Т» разослала пресс-релиз, в котором сообщила, что её полупроводниковый завод освоил технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET, и она в данный момент является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

От обычных планарных MOSFET (см. на картинке выше) технология производства и структура Trench MOSFET отличается тем (см. картинку ниже), что для изготовления затвора создаётся канавка и он создаётся в углублении. Грубо говоря, это FinFET наоборот. За счёт увеличения площади затвора управляющее поле охватывает большую площадь. При этом структуры можно расположить более плотно, а сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии не изменяется и даже может быть меньше, чем у планарного MOSFET. Это позволяет значительно улучшить характеристики транзисторов MOSFET, в частности, его эффективность, что крайне важно для блоков питания с использованием аккумуляторов. Масса и габариты транзисторов тоже становятся меньше.

У транзисторов Trench MOSFET есть свои минусы. Но это относится к проектированию схем с использованием Trench MOSFET. При разработке электронных цепей следует учитывать, что Trench MOSFET подвержены ложному срабатыванию из-за появления в их структуре паразитных цепей в виде биполярного транзистора и внутреннего диода. Но всё это решаемо и относится к азам проектирования. В целом мировой рынок MOSFET-транзисторов оценивается в $6 млрд в год, так что компании Ангстрем-Т на нём гарантированно найдётся своё место.

Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.

Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.

Есть вопросы. Напишите нам.

Общие правила  поведения на сайте.