В ожидании 5G: Western Digital начала поставки образцов 512-Гбайт накопителей UFS 3.0 - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Популярные статьи
Наш опрос



Наши новости

       
23-02-2019, 03:01
В ожидании 5G: Western Digital начала поставки образцов 512-Гбайт накопителей UFS 3.0 - «Новости сети»
Рейтинг:


Мы уже знаем, что новые флагманы компании Samsung могут нести на борту однокорпусные флеш-накопители с шиной UFS 3.0. Ёмкость таковых может достигать 512 Гбайт, чем не могут похвастаться многие модели ноутбуков. Более того, шина UFS версии 3.0 в полной конфигурации с поддержкой двух линий для обмена данными теоретически может обеспечить скорость передачи информации на уровне 23,2 Гбит/с.


В смартфонах Samsung наверняка используются накопители UFS 3.0 этого бренда, но другие компании тоже не отстают. В конце января о начале поставок образцов однокорпусных накопителей с шиной UFS 3.0 сообщила Toshiba, а теперь в этом призналась компания Western Digital. Как и другие производители, WDC позиционирует чипы флеш-памяти с шиной UFS 3.0 для смартфонов с подключением к сотовым сетям 5-го поколения, для планшетов, платформ с машинным обучением, а также для широкого спектра периферийных вычислительных устройств с элементами ИИ и для вещей с подключением к Интернету.


В основе представленных компанией Western Digital новых однокорпусных накопителей iNAND MC EU511 лежат 96-слойные микросхемы 3D NAND. За счёт технологии iNAND SmartSLC 6-го поколения накопители могут развивать скорость записи в режиме турбо до 750 Мбайт/с. Двухчасовый фильм, сжатый кодеком H.265 объёмом 4,5 Гбайт, заявляют в WDC, запишется всего за 3,6 секунды. Разработчики уверяют, что для просмотра видео с разрешением 4K/8K на мобильных устройствах ничего лучшего не придумать. Подобная производительность также будет кстати для гарнитур дополненной и виртуальной реальности.


Поставки образцов накопителей iNAND MC EU511 в версиях от 64 Гбайт до 512 Гбайт уже начались OEM-партнёрам компании. В устройствах новая память обещает появиться во второй половине года. Возможно, память с шиной USF, наконец, начнёт вытеснять из смартфонов память eMMC.

Мы уже знаем, что новые флагманы компании Samsung могут нести на борту однокорпусные флеш-накопители с шиной UFS 3.0. Ёмкость таковых может достигать 512 Гбайт, чем не могут похвастаться многие модели ноутбуков. Более того, шина UFS версии 3.0 в полной конфигурации с поддержкой двух линий для обмена данными теоретически может обеспечить скорость передачи информации на уровне 23,2 Гбит/с. В смартфонах Samsung наверняка используются накопители UFS 3.0 этого бренда, но другие компании тоже не отстают. В конце января о начале поставок образцов однокорпусных накопителей с шиной UFS 3.0 сообщила Toshiba, а теперь в этом призналась компания Western Digital. Как и другие производители, WDC позиционирует чипы флеш-памяти с шиной UFS 3.0 для смартфонов с подключением к сотовым сетям 5-го поколения, для планшетов, платформ с машинным обучением, а также для широкого спектра периферийных вычислительных устройств с элементами ИИ и для вещей с подключением к Интернету. В основе представленных компанией Western Digital новых однокорпусных накопителей iNAND MC EU511 лежат 96-слойные микросхемы 3D NAND. За счёт технологии iNAND SmartSLC 6-го поколения накопители могут развивать скорость записи в режиме турбо до 750 Мбайт/с. Двухчасовый фильм, сжатый кодеком H.265 объёмом 4,5 Гбайт, заявляют в WDC, запишется всего за 3,6 секунды. Разработчики уверяют, что для просмотра видео с разрешением 4K/8K на мобильных устройствах ничего лучшего не придумать. Подобная производительность также будет кстати для гарнитур дополненной и виртуальной реальности. Поставки образцов накопителей iNAND MC EU511 в версиях от 64 Гбайт до 512 Гбайт уже начались OEM-партнёрам компании. В устройствах новая память обещает появиться во второй половине года. Возможно, память с шиной USF, наконец, начнёт вытеснять из смартфонов память eMMC.

Теги: Новости сети, накопителей шиной память Western iNAND

Просмотров: 541
Комментариев: 0:   23-02-2019, 03:01
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме: