•
Если человек ощущает свое участие в жизни общества, он создает не только материальные ценности для людей - он создает и самого себя. Из работы, в которой ярко выражен дух гражданственности, начинается истинное самовоспитание.
Афоризмы
•
Поистине, подобно солнцу, люблю я жизнь и все глубокие моря. И вот что называю я познанием: чтобы все глубокое поднялось на высоту мою!
Афоризмы
•
- «Оставайтесь голодными. Оставайтесь безрассудными». И я всегда желал себе этого. И теперь, когда вы заканчиваете институт и начинаете заново, я желаю этого вам.
Афоризмы
•
Воспитание личности - это воспитание такого стойкого морального начала, благодаря которому человек сам становится источником благотворного влияния на других, сам воспитывается и в процессе самовоспитания еще более утверждает в себе собственное моральное начало.
Дорогая, но самая быстрая на сегодня память HBM продолжает наращивать скорость. На сегодня стандарт JEDEC устанавливает предел скорости обмена HBM2E по каждому контакту шины данных на уровне 3,2 Гбит/с. Чтобы получить этот скоростной интерфейс и встать на самую высшую ступеньку достаточно обратиться к компании Synopsys. Сегодня она начала предлагать готовый для интеграции физический уровень интерфейса HBM2E.
Пакет интеллектуальной собственности HBM2E PHY IP компании Synopsys позволит в кратчайшие сроки создать продукты с поддержкой памяти HBM2E. Это могут быть SoC, центральные процессоры, графические процессоры, программируемые матрицы ПЛИС, ускорители или что-то ещё. Все эти решения должна объединять общая цель - добиться максимально возможной в современных условиях пропускной способности с подсистемой памяти. Пакет HBM2E PHY IP Synopsys обеспечивает совокупную скорость обмена с каждым 1024-разрядным чипом HBM2E на уровне 409 Гбайт/с.
По полосе пропускания интерфейс HBM2E в 14 раз превосходит 72-битный интерфейс памяти DDR4, работающий с той же скоростью 3,2 Гбит/с на один контакт шины данных. При этом энергоэффективность подсистемы памяти на чипах HBM2E примерно в 10 раз выше, чем в случае подсистем памяти стандарта DDR4.
Важной особенностью физического уровня HBM2E Synopsys представляется адаптация для объёмных многокристальных упаковок. Так, блок физического интерфейса подходит для упаковки методом Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) компании TSMC. Очевидно, в первую очередь от этого выиграют клиенты этого тайваньского чипмейкера. Упаковка CoWoS позволяет располагать на общей подложке-интерпозере логику и память HBM2E. Это сокращает длины интерфейсных соединений и позволяет добиться наилучших характеристик.
Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»
Кстати, о лучших характеристиках. Компании Samsung и SK Hynix в этом году собираются побить рекорд производительности интерфейса HBM2E. Первая обещает выпустить чип памяти со скоростью обмена 538 Гбайт/с, а вторая — со скоростью 460 Гбайт/с. При этом компания Samsung, вероятно, будет использовать собственный физический уровень HBM2E, тогда как SK Hynix, не имеющая своей логики, приобретает необходимые IP у Synopsys.
Дорогая, но самая быстрая на сегодня память HBM продолжает наращивать скорость. На сегодня стандарт JEDEC устанавливает предел скорости обмена HBM2E по каждому контакту шины данных на уровне 3,2 Гбит/с. Чтобы получить этот скоростной интерфейс и встать на самую высшую ступеньку достаточно обратиться к компании Synopsys. Сегодня она начала предлагать готовый для интеграции физический уровень интерфейса HBM2E. Пакет интеллектуальной собственности HBM2E PHY IP компании Synopsys позволит в кратчайшие сроки создать продукты с поддержкой памяти HBM2E. Это могут быть SoC, центральные процессоры, графические процессоры, программируемые матрицы ПЛИС, ускорители или что-то ещё. Все эти решения должна объединять общая цель - добиться максимально возможной в современных условиях пропускной способности с подсистемой памяти. Пакет HBM2E PHY IP Synopsys обеспечивает совокупную скорость обмена с каждым 1024-разрядным чипом HBM2E на уровне 409 Гбайт/с. По полосе пропускания интерфейс HBM2E в 14 раз превосходит 72-битный интерфейс памяти DDR4, работающий с той же скоростью 3,2 Гбит/с на один контакт шины данных. При этом энергоэффективность подсистемы памяти на чипах HBM2E примерно в 10 раз выше, чем в случае подсистем памяти стандарта DDR4. Важной особенностью физического уровня HBM2E Synopsys представляется адаптация для объёмных многокристальных упаковок. Так, блок физического интерфейса подходит для упаковки методом Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) компании TSMC. Очевидно, в первую очередь от этого выиграют клиенты этого тайваньского чипмейкера. Упаковка CoWoS позволяет располагать на общей подложке-интерпозере логику и память HBM2E. Это сокращает длины интерфейсных соединений и позволяет добиться наилучших характеристик. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Кстати, о лучших характеристиках. Компании Samsung и SK Hynix в этом году собираются побить рекорд производительности интерфейса HBM2E. Первая обещает выпустить чип памяти со скоростью обмена 538 Гбайт/с, а вторая — со скоростью 460 Гбайт/с. При этом компания Samsung, вероятно, будет использовать собственный физический уровень HBM2E, тогда как SK Hynix, не имеющая своей логики, приобретает необходимые IP у Synopsys.