Большой объём энергонезависимой памяти и быстрый интерфейс - что ещё надо смартфонам или умной электронике автомобиля? Японская компания Kioxia Corporation свела вместе одно и другое и представила новое поколение ёмких и быстрых однокорпусных флеш-накопителей с интерфейсом UFS 3.1 и объёмом до 1 Тбайт. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» Всего новая линейка однокорпусных флеш-накопителей компании Kioxia содержит чипы памяти ёмкостью 128, 256, 512 Гбайт и 1-Тбайт версию. Но пока компания распространяет среди клиентов только образцы 256-Гбайт чипов. Образцы остальной продукции компания начнёт распространять после марта. Важной особенностью новинок стала адаптация спецификаций UFS 3.1, чистовая редакция которых была утверждена всего месяц назад. Интересно отметить, что хотя спецификации UFS 3.1 не повысили скорость обмена по шине данных по сравнению с предыдущей версией спецификаций UFS 3.0, чипы Kioxia в новом исполнении обеспечивают 30-процентный прирост в режиме последовательного чтения данных. В пресс-релизе нет точных цифр, но, исходя из доступных на сайте спецификаций, от флеш-памяти с шиной UFS 3.1 можно ожидать максимальную скорость чтения до теоретически допустимой стандартом или до 2,9 Гбайт/с для двух линий передачи данных. Скорость записи, очевидно, будет меньше. Исходя из данных, обнародованных производственным партнёром Kioxia компанией Western Digital, для 256-Гбайт сборки скорость устоявшейся записи будет достигать 800 Мбайт/с. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» В целом же Kioxia предлагает рассматривать новые однокорпусные накопители в свете поддержки спецификаций UFS 3.1, что даёт рост скорости записи до трёх раз благодаря новому режиму WriteBooster (за счёт введения буфера из памяти NAND SLC), а также обещает лучшую энергоэффективность благодаря новому и более глубокому режиму сна UFS-DeepSleep Power Mode вместо ранее используемого режима UFS-Sleep Power Mode. Наконец, флеш-память с поддержкой новых спецификаций UFS 3.1 обеспечивает опциональный режим кеширования карты логических и физических адресов накопителя в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). Это позволит ускорить работу с накопителем при чтении случайных блоков из памяти. Также новые спецификации позволяют контроллеру памяти сообщать хосту о снижении производительности при перегреве. Накопители становятся умнее, быстрее и более ёмкими. В смартфонах, судя по всему, эти новинки окажутся во второй половине текущего года.