IMEC прокладывает путь к производству 3-нм полупроводников - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Наш опрос



Наши новости

       005f1294
26-02-2020, 16:01
IMEC прокладывает путь к производству 3-нм полупроводников - «Новости сети»
Рейтинг:


На повестке дня стоит начало массового производства 5-нм чипов. Следующий шаг - освоить выпуск 3-нм решений. Несмотря на небольшое различие в технологических нормах, этот маленький шаг потребует значительных исследований. И на первую линию борьбы за 3-нм производство вышли исследователи из Бельгии и Нидерландов.


На этой неделе на годовом мероприятии SPIE Advanced Lithography Conference бельгийский исследовательский центр Imec сделал доклад о прорыве в деле литографического производства чипов с использованием EUV-проекции. С помощью серийного сканера NXE:3400B компании ASML, но с массой уникальных настроек, исследователи смогли за один проход сканера создать линейный рисунок с шагом 24 нм.


Это разрешение необходимо для выпуска полупроводников с нормами 3 нм. Оно критическое для изготовления металлических контактов в так называемом «нижнем» слое чипов или BEOL (back-end-of-line), где расположена многоуровневая система соединений кристалла с монтажной платой. Опыт произведён в новой «чистой комнате» Imec, где специалисты центра вместе с инженерами компании ASML разрабатывают новые материалы для производства чипов с нормами 3 нм и меньшими.


Предметом для пристального излучения остаётся фоторезист - фоточувствительный материал, который даёт возможность перенести рисунок кристалла с фотошаблона на кремниевую пластину. Фоторезист для техпроцессов с нормами свыше 7 нм не годится для работы со сканерами EUV при проекции с нормами менее 5–3 нм. Он банально разрушается под воздействием высокоэнергетического пучка сверхжёсткого излучения.


В совместном исследовании специалисты Imec и ASML смоли таким образом настроить излучающую установку, чтобы снизить энергию пучка излучения до безопасного для фоторезиста уровня и добиться минимальных искажений при передаче рисунка с фотошаблона на слой фоторезиста на пластине.


Полученные в результате эксперимента данные помогут в дальнейшем при переходе на сканеры с ещё лучшим разрешением - на установки EXE:5000. Ключевой особенностью сканеров ASML EXE:5000 станет новая оптическая система с увеличенной цифровой апертурой со значения 0,33 до 0,55. Эта установка за один проход обещает рисовать линии с шагом 8 нм, а появится она примерно через два года. К этому времени необходимо разработать фоторезист, который бы мог выдерживать высокую энергию пучка на меньшей площади.

На повестке дня стоит начало массового производства 5-нм чипов. Следующий шаг - освоить выпуск 3-нм решений. Несмотря на небольшое различие в технологических нормах, этот маленький шаг потребует значительных исследований. И на первую линию борьбы за 3-нм производство вышли исследователи из Бельгии и Нидерландов. На этой неделе на годовом мероприятии SPIE Advanced Lithography Conference бельгийский исследовательский центр Imec сделал доклад о прорыве в деле литографического производства чипов с использованием EUV-проекции. С помощью серийного сканера NXE:3400B компании ASML, но с массой уникальных настроек, исследователи смогли за один проход сканера создать линейный рисунок с шагом 24 нм. Это разрешение необходимо для выпуска полупроводников с нормами 3 нм. Оно критическое для изготовления металлических контактов в так называемом «нижнем» слое чипов или BEOL (back-end-of-line), где расположена многоуровневая система соединений кристалла с монтажной платой. Опыт произведён в новой «чистой комнате» Imec, где специалисты центра вместе с инженерами компании ASML разрабатывают новые материалы для производства чипов с нормами 3 нм и меньшими. Предметом для пристального излучения остаётся фоторезист - фоточувствительный материал, который даёт возможность перенести рисунок кристалла с фотошаблона на кремниевую пластину. Фоторезист для техпроцессов с нормами свыше 7 нм не годится для работы со сканерами EUV при проекции с нормами менее 5–3 нм. Он банально разрушается под воздействием высокоэнергетического пучка сверхжёсткого излучения. В совместном исследовании специалисты Imec и ASML смоли таким образом настроить излучающую установку, чтобы снизить энергию пучка излучения до безопасного для фоторезиста уровня и добиться минимальных искажений при передаче рисунка с фотошаблона на слой фоторезиста на пластине. Полученные в результате эксперимента данные помогут в дальнейшем при переходе на сканеры с ещё лучшим разрешением - на установки EXE:5000. Ключевой особенностью сканеров ASML EXE:5000 станет новая оптическая система с увеличенной цифровой апертурой со значения 0,33 до 0,55. Эта установка за один проход обещает рисовать линии с шагом 8 нм, а появится она примерно через два года. К этому времени необходимо разработать фоторезист, который бы мог выдерживать высокую энергию пучка на меньшей площади.

Теги: Новости сети, нормами пучка производства чипов 3-нм

Просмотров: 472
Комментариев: 0:   26-02-2020, 16:01
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме: