Из оксида галлия и эпоксидки создан транзистор с напряжением пробоя выше 8 киловольт - «Новости сети» » Самоучитель CSS
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Наш опрос



Наши новости

      
  • 24 марта 2016, 16:20
3-06-2020, 16:16
Из оксида галлия и эпоксидки создан транзистор с напряжением пробоя выше 8 киловольт - «Новости сети»
Рейтинг:


Быстрое развитие электротранспорта невозможно без улучшения силовой электроники, от размеров и эффективности которой прямо зависит дальность передвижения электромобилей и электросамолётов. Чем меньше по размерам силовая установка, тем дальше проедет/пролетит транспорт на электрической тяге. Продвинуться на этом пути обещает новая разработка американских учёных - силовой транзистор толщиной с лист бумаги и напряжением пробоя свыше 8 киловольт.
Из оксида галлия и эпоксидки создан транзистор с напряжением пробоя выше 8 киловольт - «Новости сети»


Изобретение сделала группа учёных из Университета в Буффало (UB). Они предложили и испытали в лаборатории новую форму силового полевого МОП-транзистора. Ежегодно в мире поставляется на рынок порядка 50 млрд MOSFET для производства блоков питания, преобразователей и другой силовой электроники. Университетская разработка при толщине с лист бумаги выдержала 8032 В до пробоя, а это невероятно много при таких размерах.


В качестве основы для полевого транзисторы учёные выбрали оксид галлия. Ширина запрещённой зоны у этого материала рекордная и составляет 4,8 электрон-вольт (эВ). Для сравнения, у кремния ширина запрещённой зоны 1,1 эВ, а у нитрида галлия - 3,3 эВ. Но и это ещё не всё. Дополнительно транзистор на основе оксида галлия подвергли так называемой пассивации - снижению активности поверхностного слоя. В данном случае транзистор был покрыт слоем полимера SU-8 на базе эпоксидной смолы. Этот полимер часто используется при производстве электроники и не является чем-то исключительным.



Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru»



«Чтобы действительно внедрить эти [электротранспортные] технологии в будущем, нам нужны электронные компоненты следующего поколения, которые могут выдерживать большие силовые нагрузки без увеличения размеров систем силовой электроники», - сказал ведущий автор исследования Уттам Сингисетти (Uttam Singisetti). «Эти высокоэффективные системы могут в конечном итоге помочь вам выжать больший радиус действия для электромобиля. Необходимы дальнейшие эксперименты, особенно для проверки напряженности поля этих новых транзисторов».
Цитирование статьи, картинки - фото скриншот - Rambler News Service.
Иллюстрация к статье - Яндекс. Картинки.
Есть вопросы. Напишите нам.
Общие правила  поведения на сайте.

Быстрое развитие электротранспорта невозможно без улучшения силовой электроники, от размеров и эффективности которой прямо зависит дальность передвижения электромобилей и электросамолётов. Чем меньше по размерам силовая установка, тем дальше проедет/пролетит транспорт на электрической тяге. Продвинуться на этом пути обещает новая разработка американских учёных - силовой транзистор толщиной с лист бумаги и напряжением пробоя свыше 8 киловольт. Изобретение сделала группа учёных из Университета в Буффало (UB). Они предложили и испытали в лаборатории новую форму силового полевого МОП-транзистора. Ежегодно в мире поставляется на рынок порядка 50 млрд MOSFET для производства блоков питания, преобразователей и другой силовой электроники. Университетская разработка при толщине с лист бумаги выдержала 8032 В до пробоя, а это невероятно много при таких размерах. В качестве основы для полевого транзисторы учёные выбрали оксид галлия. Ширина запрещённой зоны у этого материала рекордная и составляет 4,8 электрон-вольт (эВ). Для сравнения, у кремния ширина запрещённой зоны 1,1 эВ, а у нитрида галлия - 3,3 эВ. Но и это ещё не всё. Дополнительно транзистор на основе оксида галлия подвергли так называемой пассивации - снижению активности поверхностного слоя. В данном случае транзистор был покрыт слоем полимера SU-8 на базе эпоксидной смолы. Этот полимер часто используется при производстве электроники и не является чем-то исключительным. Информация размещенная на сайте - «hs-design.ru» «Чтобы действительно внедрить эти _
Просмотров: 409
Комментариев: 0:   3-06-2020, 16:16
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме: