В США разработана новая технология производства нанометровых полупроводников - «Новости сети»
Меню
Наши новости
Учебник CSS

Невозможно отучить людей изучать самые ненужные предметы.

Введение в CSS
Преимущества стилей
Добавления стилей
Типы носителей
Базовый синтаксис
Значения стилевых свойств
Селекторы тегов
Классы
CSS3

Надо знать обо всем понемножку, но все о немногом.

Идентификаторы
Контекстные селекторы
Соседние селекторы
Дочерние селекторы
Селекторы атрибутов
Универсальный селектор
Псевдоклассы
Псевдоэлементы

Кто умеет, тот делает. Кто не умеет, тот учит. Кто не умеет учить - становится деканом. (Т. Мартин)

Группирование
Наследование
Каскадирование
Валидация
Идентификаторы и классы
Написание эффективного кода

Самоучитель CSS

Вёрстка
Изображения
Текст
Цвет
Линии и рамки
Углы
Списки
Ссылки
Дизайны сайтов
Формы
Таблицы
CSS3
HTML5

Новости

Блог для вебмастеров
Новости мира Интернет
Сайтостроение
Ремонт и советы
Все новости

Справочник CSS

Справочник от А до Я
HTML, CSS, JavaScript

Афоризмы

Афоризмы о учёбе
Статьи об афоризмах
Все Афоризмы

Видео Уроки


Видео уроки
Наш опрос



Наши новости

       
15-02-2020, 16:13
В США разработана новая технология производства нанометровых полупроводников - «Новости сети»
Рейтинг:


Дальнейшее развитие микроэлектроники невозможно представить без совершенствования технологий производства полупроводников. Чтобы расширить границы и научиться выпускать всё более мелкие элементы на кристаллах нужны новые технологии и новые инструменты. Одной из таких технологий может стать прорывная разработка американских учёных.


Группа исследователей из Аргоннской национальной лаборатории Министерства энергетики США разработала новую методику создания и травления тончайших плёнок на поверхности кристаллов. Потенциально это может привести к производству чипов с меньшими масштабами технологических норм, чем сегодня и в ближайшей перспективе. Публикация об исследовании размещена в журнале Chemistry of Materials.


Предложенная методика напоминает традиционный процесс атомно-слоевого осаждения и травления, только вместо неорганических плёнок новая технология создаёт и работает с органическими плёнками. Собственно, по аналогии новая технология названа молекулярно-слоевым осаждением (MLD, molecular layer deposition) и молекулярно-слоевым травлением (MLE, molecular layer etching).


Как и в случае атомно-слоевого травления метод MLE использует газовую обработку в камере поверхности кристалла с плёнками из материала на органической основе. Кристалл циклически обрабатывается двумя разными газами попеременно до тех пор, пока плёнка не истончится до заданной толщины.


Химические процессы при этом подчиняются законам саморегуляции. Это означает, что слой за слоем снимаются равномерно и контролируемо. Если использовать фотошаблоны, на кристалле можно воспроизвести топологию будущего чипа и вытравить рисунок с высочайшей точностью.
В США разработана новая технология производства нанометровых полупроводников - «Новости сети»


В эксперименте учёные использовали для молекулярного травления газ с содержанием солей лития и газ на основе триметилалюминия. В процессе травления соединение лития реагировало с поверхностью пленки алукона (alucone) таким образом, что литий осаждался на поверхности и разрушал химическую связь в пленке. Потом подавался триметилалюминий, который удалял слой плёнки с литием, и так поочерёдно до тех пор, пока плёнка не уменьшалась до нужной толщины. Хорошая управляемость процессом, уверены учёные, может позволить предложенной технологии подтолкнуть развитие полупроводникового производства.

Дальнейшее развитие микроэлектроники невозможно представить без совершенствования технологий производства полупроводников. Чтобы расширить границы и научиться выпускать всё более мелкие элементы на кристаллах нужны новые технологии и новые инструменты. Одной из таких технологий может стать прорывная разработка американских учёных. Группа исследователей из Аргоннской национальной лаборатории Министерства энергетики США разработала новую методику создания и травления тончайших плёнок на поверхности кристаллов. Потенциально это может привести к производству чипов с меньшими масштабами технологических норм, чем сегодня и в ближайшей перспективе. Публикация об исследовании размещена в журнале Chemistry of Materials. Предложенная методика напоминает традиционный процесс атомно-слоевого осаждения и травления, только вместо неорганических плёнок новая технология создаёт и работает с органическими плёнками. Собственно, по аналогии новая технология названа молекулярно-слоевым осаждением (MLD, molecular layer deposition) и молекулярно-слоевым травлением (MLE, molecular layer etching). Как и в случае атомно-слоевого травления метод MLE использует газовую обработку в камере поверхности кристалла с плёнками из материала на органической основе. Кристалл циклически обрабатывается двумя разными газами попеременно до тех пор, пока плёнка не истончится до заданной толщины. Химические процессы при этом подчиняются законам саморегуляции. Это означает, что слой за слоем снимаются равномерно и контролируемо. Если использовать фотошаблоны, на кристалле можно воспроизвести топологию будущего чипа и вытравить рисунок с высочайшей точностью. В эксперименте учёные использовали для молекулярного травления газ с содержанием солей лития и газ на основе триметилалюминия. В процессе травления соединение лития реагировало с поверхностью пленки алукона (alucone) таким образом, что литий осаждался на поверхности и разрушал химическую связь в пленке. Потом подавался триметилалюминий, который удалял слой плёнки с литием, и так поочерёдно до тех пор, пока плёнка не уменьшалась до нужной толщины. Хорошая управляемость процессом, уверены учёные, может позволить предложенной технологии подтолкнуть развитие полупроводникового производства.

Теги: Новости сети, травления может поверхности новая технология

Просмотров: 406
Комментариев: 0:   15-02-2020, 16:13
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 
Еще новости по теме:



Другие новости по теме:
Комментарии для сайта Cackle